K9F4G08U0D-SIB0 삼성은 성분에 의하여 조립된 SMT 기계 부속을 잘게 썹니다

K9F4G08U0D-SIB0 삼성 칩 부품은 모였습니다

상세 정보 :

1, 파트 명칭 : 칩 부품

2, 모델 :K9F4G08U0D-SIB0

3, 브랜드 : 삼성

4, 상태 : 새로운 원형

5, 식자재원산지정보 : 한국

• 사업자부 개수 :

  K9F4G08U0D-SIB0000

• 로에스 코드 :

  예

• 수명주기 부호 부분 :

  퇴역항공기

• 패키지 설명 :

  12 Ｘ 20 밀리미터, 0.50 MM 피치, 할로겐과 무연성, 플라스틱, TSOP1-48

• 제조사 :

  삼성 반도체

• 위험 등급 :

  5.84

• 접근 타임맥스 :

  25 나노 초

• 커맨드 유저 인터페이스 :

  예

• 데이터 폴링 :

  부정

• JESD-30 코드 :

  R-PDSO-G48

• 길이 :

  18.4 밀리미터

• 메모리 밀도 :

  4294967296개 비트

• 메모리용 IC 타입 :

  플래시

• 메모리 폭 :

  8

• 함수의 수 :

  1

• 섹터 수 / 크기 :

  4K

• 단말기 수 :

  48

• 단어수 :

  536870912가지 단어

• 단어수 코드 :

  512000000

• 작동 모드 :

  비동시적입니다

• 작동 온도 최대 :

  85 'Ｃ

• 작동 온도 분 :

  -40 'Ｃ

• 조직 :

  512MX8

• 패키지 몸체 물질 :

  플라스틱 / 에폭시

• 패키지 코드 :

  TSOP1

• 패키지 유사 코드 :

  TSSOP48,.8,20

• 패키지 모양 :

  직사각형입니다

• 패키지 방식 :

  스몰 아웃라인, 박막 프로필

• 페이지 크기 :

  2K 단어

• 평행한 / 연속물 :

  대비

• 최대 리플로우 온도 (셀) :

  상세화되지 않습니다

• 전원 공급기 :

  3/3.3 Ｖ

• 프로그래밍 전압 :

  3.3 Ｖ

• 자격 상태 :

  자격을 얻지 않습니다

• 바쁜 준비된 / :

  예

• 앉은키 최대 :

  1.2 밀리미터

• 섹터 크기 :

  128K

• 대기 전류 최대 :

  0.00005 A

• 하위범주 :

  플래쉬 메모리

• 공급전류 최대 :

  0.03 마

• 공급 전압-최대 (프스업) :

  3.6 Ｖ

• 공급 전압 분 (프스업) :

  2.7 Ｖ

• 공급 전압 이름 (프스업) :

  3.3 Ｖ

• 표면 부착 :

  예

• 기술 :

  CMOS

• 온도 그레이드 :

  INDUSTRIAL

• 단말기 형태 :

  갈매기 날개

• 단자 피치 :

  0.5 밀리미터

• 단자 위치 :

  듀얼

• Time@Peak 리플로우 온도는 (s)를 최대한으로 씁니다 :

  상세화되지 않습니다

• 토글 비트 :

  부정

• 타이핑하세요 :

  낸드형

• 폭 :

  12 밀리미터